PESD3V3L1BAZ-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PESD3V3L1BAZ-HXY
此静电和浪涌保护器件为Bi双向设计, 适用于1通道线路保护。 它具备3.3V的反向工作电压(VRWM), 能够在不影响正常信号传输的情况下, 有效抵御突然出现的高电压威胁。 其IPP峰值脉冲电流可达38A, 确保在遭遇异常电压时快速响应并保护电路安全。 电容值CJ为80pF, 有助于维持信号的完整性, 同时提供必要的保护功能。 该器件适合集成到各类需要精细电压保护的电子设备中, 如消费电子产品和通信接口, 保障内部电路免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
20
货期
现货
PESD3V3L1BAZ-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PESD3V3L1BAZ-HXY概述
此静电和浪涌保护器件为Bi双向设计, 适用于1通道线路保护。 它具备3.3V的反向工作电压(VRWM), 能够在不影响正常信号传输的情况下, 有效抵御突然出现的高电压威胁。 其IPP峰值脉冲电流可达38A, 确保在遭遇异常电压时快速响应并保护电路安全。 电容值CJ为80pF, 有助于维持信号的完整性, 同时提供必要的保护功能。 该器件适合集成到各类需要精细电压保护的电子设备中, 如消费电子产品和通信接口, 保障内部电路免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。
PESD3V3L1BAZ-HXY特性
暂无产品特性。
PESD3V3L1BAZ-HXY应用领域
暂无应用领域。
