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PESD3V3L1BAZ-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

PESD3V3L1BAZ-HXY

此静电和浪涌保护器件为Bi双向设计, 适用于1通道线路保护。 它具备3.3V的反向工作电压(VRWM), 能够在不影响正常信号传输的情况下, 有效抵御突然出现的高电压威胁。 其IPP峰值脉冲电流可达38A, 确保在遭遇异常电压时快速响应并保护电路安全。 电容值CJ为80pF, 有助于维持信号的完整性, 同时提供必要的保护功能。 该器件适合集成到各类需要精细电压保护的电子设备中, 如消费电子产品和通信接口, 保障内部电路免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

20

货期

现货

PESD3V3L1BAZ-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

PESD3V3L1BAZ-HXY概述

此静电和浪涌保护器件为Bi双向设计, 适用于1通道线路保护。 它具备3.3V的反向工作电压(VRWM), 能够在不影响正常信号传输的情况下, 有效抵御突然出现的高电压威胁。 其IPP峰值脉冲电流可达38A, 确保在遭遇异常电压时快速响应并保护电路安全。 电容值CJ为80pF, 有助于维持信号的完整性, 同时提供必要的保护功能。 该器件适合集成到各类需要精细电压保护的电子设备中, 如消费电子产品和通信接口, 保障内部电路免受静电放电和瞬态电压尖峰的影响。

PESD3V3L1BAZ-HXY特性

暂无产品特性。

PESD3V3L1BAZ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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