PESD3V3L1BAF-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PESD3V3L1BAF-HXY
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备38A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够有效抵御瞬时高电流冲击。 其工作电压VRWM为3.3V, 确保在标准电源电压环境下稳定运行, 不会因过早触发而影响正常操作。 该元件拥有80皮法(pF)的电容CJ, 适用于需要一定信号完整性的应用场景, 同时保持了较低的插入损耗。 作为单通道双向TYPE保护器, 它能够在正反两个方向上提供对称的过电压保护, 特别适合用于保护电子设备中的敏感接口免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响, 保障数据传输的可靠性和稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
210
货期
现货
PESD3V3L1BAF-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
PESD3V3L1BAF-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备38A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够有效抵御瞬时高电流冲击。 其工作电压VRWM为3.3V, 确保在标准电源电压环境下稳定运行, 不会因过早触发而影响正常操作。 该元件拥有80皮法(pF)的电容CJ, 适用于需要一定信号完整性的应用场景, 同时保持了较低的插入损耗。 作为单通道双向TYPE保护器, 它能够在正反两个方向上提供对称的过电压保护, 特别适合用于保护电子设备中的敏感接口免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响, 保障数据传输的可靠性和稳定性。
PESD3V3L1BAF-HXY特性
暂无产品特性。
PESD3V3L1BAF-HXY应用领域
暂无应用领域。
