PESD36VS2UT-N
IC
SOT-23
可供量大可议
PESD36VS2UT-N
特性：300瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触， ±20kV空气。 应用：数据线。 自动取款机
品牌
BORN
封装
SOT-23
库存
2,620
货期
现货
PESD36VS2UT-N参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2620 |
PESD36VS2UT-N概述
特性：300瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触， ±20kV空气。 应用：数据线。 自动取款机
PESD36VS2UT-N特性
暂无产品特性。
PESD36VS2UT-N应用领域
暂无应用领域。