PESD24VS1UL-N
自营可供
IC
DFN1006
PESD24VS1UL-N
特性：225瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV， 接触放电：±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）
品牌
BORN
封装
DFN1006
交期
现货
批次
两年内
PESD24VS1UL-N参数
| 封装 | DFN1006 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 45V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 225W@8/20us |
| 反向电流(Ir) | 500nA |
| 类型 | ESD |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 13,880 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 24V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A |
| 击穿电压(VBR) | 26.7V |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4； IEC 61000-4-5； IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 30pF |
PESD24VS1UL-N概述
特性：225瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 空气放电：±30kV， 接触放电：±30kV。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理（PDA）