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PESD24VL2BT-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PESD24VL2BT-HXY

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 具备3A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 适用于需要稳定防护的精密电路。 其反向工作电压为24V(VRWM), 在瞬态电压抑制过程中可有效保障系统安全。 器件结电容为13pF(CJ), 适合用于高速信号线路保护, 支持2通道(LINE)布局, 有助于简化多路信号接口的ESD防护方案。 该产品符合通用型电路保护需求, 适用于多种电子设备的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

210

货期

现货

PESD24VL2BT-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存210

PESD24VL2BT-HXY概述

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 具备3A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 适用于需要稳定防护的精密电路。 其反向工作电压为24V(VRWM), 在瞬态电压抑制过程中可有效保障系统安全。 器件结电容为13pF(CJ), 适合用于高速信号线路保护, 支持2通道(LINE)布局, 有助于简化多路信号接口的ESD防护方案。 该产品符合通用型电路保护需求, 适用于多种电子设备的电路设计。

PESD24VL2BT-HXY特性

暂无产品特性。

PESD24VL2BT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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