PESD24VL2BT-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PESD24VL2BT-HXY
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 具备3A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 适用于需要稳定防护的精密电路。 其反向工作电压为24V(VRWM), 在瞬态电压抑制过程中可有效保障系统安全。 器件结电容为13pF(CJ), 适合用于高速信号线路保护, 支持2通道(LINE)布局, 有助于简化多路信号接口的ESD防护方案。 该产品符合通用型电路保护需求, 适用于多种电子设备的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
210
货期
现货
PESD24VL2BT-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
PESD24VL2BT-HXY概述
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 具备3A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 适用于需要稳定防护的精密电路。 其反向工作电压为24V(VRWM), 在瞬态电压抑制过程中可有效保障系统安全。 器件结电容为13pF(CJ), 适合用于高速信号线路保护, 支持2通道(LINE)布局, 有助于简化多路信号接口的ESD防护方案。 该产品符合通用型电路保护需求, 适用于多种电子设备的电路设计。
PESD24VL2BT-HXY特性
暂无产品特性。
PESD24VL2BT-HXY应用领域
暂无应用领域。
