PESD18VF1BLYL-JSM
IC
DFN1006-2
可供量大可议
PESD18VF1BLYL-JSM
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：18V 钳位电压：17V 峰值脉冲电流(Ipp)：1A@8/20us 击穿电压：19V
品牌
JSMSEMI
封装
DFN1006-2
库存
9,790
货期
现货
PESD18VF1BLYL-JSM参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9790 |
PESD18VF1BLYL-JSM概述
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：18V 钳位电压：17V 峰值脉冲电流(Ipp)：1A@8/20us 击穿电压：19V
PESD18VF1BLYL-JSM特性
暂无产品特性。
PESD18VF1BLYL-JSM应用领域
暂无应用领域。