PE613050A-Z
IC
QFN-12-EP(2x2)
可供量大可议
PE613050A-Z
PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷(SP4T)调谐控制开关。 这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑, 尤其适用于阻抗匹配和孔径调谐应用。 PE613050在5至3000 MHz的主要蜂窝频段内具有低导通电阻和插入损耗。 PE613050具备高射频功率处理能力和耐用性, 同时通过HaRP技术满足严苛的谐波和线性度要求。 采用双引脚低压CMOS控制, 所有解码和偏置功能均集成在芯片上, 无需外部旁路或滤波组件。 UltraCMOS调谐器件使用方便, 同时具备卓越的射频性能。 调谐控制开关内置偏置电压生成和静电放电(ESD)保护功能, 为严苛的射频应用提供了单片集成的调谐解决方案。
品牌
pSemi
封装
QFN-12-EP(2x2)
库存
4,714
货期
现货
PE613050A-Z参数
| 封装 | QFN-12-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | pSemi(游隼半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 射频开关 |
|---|---|
| 库存 | 4714 |
PE613050A-Z概述
PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷(SP4T)调谐控制开关。 这款高度通用的开关支持多种调谐电路拓扑, 尤其适用于阻抗匹配和孔径调谐应用。 PE613050在5至3000 MHz的主要蜂窝频段内具有低导通电阻和插入损耗。 PE613050具备高射频功率处理能力和耐用性, 同时通过HaRP技术满足严苛的谐波和线性度要求。 采用双引脚低压CMOS控制, 所有解码和偏置功能均集成在芯片上, 无需外部旁路或滤波组件。 UltraCMOS调谐器件使用方便, 同时具备卓越的射频性能。 调谐控制开关内置偏置电压生成和静电放电(ESD)保护功能, 为严苛的射频应用提供了单片集成的调谐解决方案。
PE613050A-Z特性
暂无产品特性。
PE613050A-Z应用领域
暂无应用领域。
