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PE44820B-X
IC

QFN-32(5x5)

可供量大可议

PE44820B-X

是一款采用HaRP技术增强的8位数字移相器(DPS), 适用于广泛的应用领域, 包括波束赋形网络、分布式天线系统、有源天线系统和相控阵应用。 该DPS在1.4度步进下覆盖358.6度的相位范围, 在1.7-2.2 GHz的标称频段内保持出色的相位和幅度精度。 还能够在1.1-3.0 GHz的窄带应用中进行扩展频率操作。 集成数字控制接口支持相位设置的串行和并行编程

品牌

pSemi

封装

QFN-32(5x5)

库存

64

货期

现货

PE44820B-X参数

封装QFN-32(5x5)
品牌pSemi(游隼半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
功能移相器
工作电压2.3V~5.5V; 3.3V~5.5V
商品名称8位射频数字移相器, 1.7-2.2 GHz
包装方式编带
商品类型RF其它IC和模块
分类RF其它IC和模块
库存64
应用领域雷达
频率1.7GHz~2.2GHz
工作温度-40℃~+105℃
商品型号PE44820B-X
单位个
商品重量0.000291486

PE44820B-X概述

PE44820 是一款基于 HaRP 技术增强的 8 位数字移相器, 设计用于广泛的应用领域, 包括:波束成形网络、分布式天线系统、有源天线系统和相控阵应用。 该数字移相器以 1.4 度为步进, 覆盖 358.6 度的相位范围, 在 1.7–2.2 GHz 的标称频段内保持优异的相位和幅度精度。 PE44820 还能够支持 1.1–3.0 GHz 的扩展频段操作, 适用于窄带应用。 集成的数字控制接口支持串行和并行编程来设置相位。 PE44820 还提供外部负电源选项, 以实现更快的开关频率, 并采用 32 引脚 5×5×0.85 mm QFN 封装。 此外, 如果射频端口存在 0 VDC 电压, 则无需外部隔直电容。 PE44820 采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造, 这是一种基于蓝宝石衬底的绝缘体上硅技术的专利变体。 pSemi 的 HaRP 技术增强提供了高线性度和优异的谐波性能。 它是 UltraCMOS 工艺的一项创新特性, 兼具 GaAs 的性能与传统 CMOS 的经济性和集成度。

PE44820B-X特性

  • 8 位全范围移相器, 相位位:358.6°、180°、90°、45°、22.5°、11.2°、5.6°、2.8° 和 1.4°
  • 低 RMS 相位和幅度误差:RMS 相位误差 1.0°, RMS 幅度误差 0.1 dB
  • 高线性度, +60 dBm IIP3
  • 扩展的窄带频率操作范围:1.1–3.0 GHz
  • 工作温度高达 +105 °C
  • 封装:32 引脚 5×5×0.85 mm QFN

PE44820B-X应用领域

  • 基站收发器
  • 有源天线阵列

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