PE-65855NLT
IC
SMD-8P, 12.1x12.1mm
可供量大可议
PE-65855NLT
特性：开放式MSL1或模制MSL4结构设计。 减少辐射电磁干扰和共模电磁兼容噪声。 共模衰减范围为100 KHz至1 GHz。 扩展温度工作范围为 -40℃至 +85℃。 JEDEC红外回流焊峰值温度为245℃。 采用管装或13英寸卷带包装。 应用：LAN。 电信广域网（Telecom WAN）
品牌
PULSE
封装
SMD-8P, 12.1x12.1mm
库存
698
货期
现货
PE-65855NLT参数
| 封装 | SMD-8P, 12.1x12.1mm |
|---|---|
| 品牌 | PULSE(普思) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 共模滤波器 |
|---|---|
| 库存 | 698 |
PE-65855NLT概述
特性：开放式MSL1或模制MSL4结构设计。 减少辐射电磁干扰和共模电磁兼容噪声。 共模衰减范围为100 KHz至1 GHz。 扩展温度工作范围为 -40℃至 +85℃。 JEDEC红外回流焊峰值温度为245℃。 采用管装或13英寸卷带包装。 应用：LAN。 电信广域网（Telecom WAN）
PE-65855NLT特性
暂无产品特性。
PE-65855NLT应用领域
暂无应用领域。