PDTD113ZT, 215-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PDTD113ZT, 215-JSM
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：500mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：70@50mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
3,365
货期
现货
PDTD113ZT, 215-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3365 |
PDTD113ZT, 215-JSM概述
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：500mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：70@50mA, 5V
PDTD113ZT, 215-JSM特性
暂无产品特性。
PDTD113ZT, 215-JSM应用领域
暂无应用领域。