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PDTC144ET-QR
IC

SOT-23

可供量大可议

PDTC144ET-QR

双极晶体管 - 预偏置

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

库存

3,000

货期

现货

PDTC144ET-QR参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次26+
数量1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)100mA
晶体管类型NPN
射基极击穿电压(Vebo)10V
最大输入电压(VI(off))800mV@100uA, 5V
工作温度-65℃~+150℃
特征频率(fT)230MHz
分类数字晶体管
库存3,000
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)80
最小输入电压(VI(on))3V@2mA, 0.3V
电阻比率1
集射极饱和电压(VCE(sat))150mV
集电极截止电流(Icbo)100nA

PDTC144ET-QR概述

双极晶体管 - 预偏置

PDTC144ET-QR特性

暂无产品特性。

PDTC144ET-QR应用领域

暂无应用领域。

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