PDTC114EU, 115-JSM
IC
SOT-323
可供量大可议
PDTC114EU, 115-JSM
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-323
库存
3,000
货期
现货
PDTC114EU, 115-JSM参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
PDTC114EU, 115-JSM概述
集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
PDTC114EU, 115-JSM特性
暂无产品特性。
PDTC114EU, 115-JSM应用领域
暂无应用领域。