PDTC114ET-QR-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PDTC114ET-QR-JSM
数量：1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,960
货期
现货
PDTC114ET-QR-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 2960 |
PDTC114ET-QR-JSM概述
数量：1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA, 5V
PDTC114ET-QR-JSM特性
暂无产品特性。
PDTC114ET-QR-JSM应用领域
暂无应用领域。