PDTB123YT, 215
IC
SOT-23
可供量大可议
PDTB123YT, 215
PNP电阻式晶体管（RET）， 采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。 NPN互补型号：PDTD123YT
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
库存
3,780
货期
现货
PDTB123YT, 215参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 70 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V |
| 输入电阻 | 2.86kΩ |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3780 |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V |
| 电阻比率 | 5 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
PDTB123YT, 215概述
数字晶体管 250mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置
PDTB123YT, 215特性
暂无产品特性。
PDTB123YT, 215应用领域
暂无应用领域。