PDTA123ET, 215
IC
TO-236AB
可供量大可议
PDTA123ET, 215
󗙻 𢺫 򏟋 mV@ 𢺫 򏟋 򏟋 µA, 󗙻 򏟋 mA PNP - Pre-Biased 򘞟 𢺫 򏟋 mW 󗙻 򏟋 򏟋 nA -𢺫 򏟋 V 𢺫 򏟋 V 󗙻 򏟋 򏟋 mA TO-򘞟 򬓹 𮧂 AB 贴片安装 󗙻 񄂹 󗙻 mm(高度)
品牌
nexperia
封装
TO-236AB
库存
4
货期
现货
PDTA123ET, 215参数
| 封装 | TO-236AB |
|---|---|
| 品牌 | nexperia |
| 批次 | 2502+ |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.2V |
| 电阻比率 | 1 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 4 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2V |
| 输入电阻 | 2.2kΩ |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
PDTA123ET, 215概述
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置
PDTA123ET, 215特性
暂无产品特性。
PDTA123ET, 215应用领域
暂无应用领域。