PDTA114EMB, 315
IC
SOT-883-3
可供量大可议
PDTA114EMB, 315
数字晶体管
品牌
Nexperia
封装
SOT-883-3
库存
8,127
货期
现货
PDTA114EMB, 315参数
| 封装 | SOT-883-3 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV |
| 电阻比率 | 1 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 8,127 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.8V@10mA, 300mV |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 特征频率(fT) | 180MHz |
PDTA114EMB, 315概述
数字晶体管
PDTA114EMB, 315特性
暂无产品特性。
PDTA114EMB, 315应用领域
暂无应用领域。