PDS3200Q-13
IC
Power-DI-5
可供量大可议
PDS3200Q-13
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低正向压降。 极低漏电流。 高度稳定的氧化钝化结。 高正向浪涌电流能力。 无铅表面处理， 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
品牌
DIODES
封装
Power-DI-5
库存
2,965
货期
现货
PDS3200Q-13参数
| 封装 | Power-DI-5 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2965 |
PDS3200Q-13概述
特性：保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低正向压降。 极低漏电流。 高度稳定的氧化钝化结。 高正向浪涌电流能力。 无铅表面处理， 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准， 可靠性高。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
PDS3200Q-13特性
暂无产品特性。
PDS3200Q-13应用领域
暂无应用领域。