PC814X1CSZ9F-HXY
IC
DIP-4
可供量大可议
PC814X1CSZ9F-HXY
该晶体管输出光耦采用直流输入, 输出端为光电三极管结构, 具备良好的信号转换能力。 其正向压降典型值为1.2V, 适用于低功耗电路设计。 最大输出电流可达50mA, 可满足多种负载驱动需求。 电流传输比(CTR)范围宽, 达到20%至300%, 确保在不同工作条件下均有稳定响应。 器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离, 常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景, 是实现电路间安全信号传输的关键元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DIP-4
库存
100
货期
现货
PC814X1CSZ9F-HXY参数
| 封装 | DIP-4 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
PC814X1CSZ9F-HXY概述
该晶体管输出光耦采用直流输入, 输出端为光电三极管结构, 具备良好的信号转换能力。 其正向压降典型值为1.2V, 适用于低功耗电路设计。 最大输出电流可达50mA, 可满足多种负载驱动需求。 电流传输比(CTR)范围宽, 达到20%至300%, 确保在不同工作条件下均有稳定响应。 器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离, 常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景, 是实现电路间安全信号传输的关键元件。
PC814X1CSZ9F-HXY特性
暂无产品特性。
PC814X1CSZ9F-HXY应用领域
暂无应用领域。
