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PC814X1CSZ9F-HXY
IC

DIP-4

可供量大可议

PC814X1CSZ9F-HXY

该晶体管输出光耦采用直流输入, 输出端为光电三极管结构, 具备良好的信号转换能力。 其正向压降典型值为1.2V, 适用于低功耗电路设计。 最大输出电流可达50mA, 可满足多种负载驱动需求。 电流传输比(CTR)范围宽, 达到20%至300%, 确保在不同工作条件下均有稳定响应。 器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离, 常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景, 是实现电路间安全信号传输的关键元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DIP-4

库存

100

货期

现货

PC814X1CSZ9F-HXY参数

封装DIP-4
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类晶体管输出光耦
库存100

PC814X1CSZ9F-HXY概述

该晶体管输出光耦采用直流输入, 输出端为光电三极管结构, 具备良好的信号转换能力。 其正向压降典型值为1.2V, 适用于低功耗电路设计。 最大输出电流可达50mA, 可满足多种负载驱动需求。 电流传输比(CTR)范围宽, 达到20%至300%, 确保在不同工作条件下均有稳定响应。 器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离, 常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景, 是实现电路间安全信号传输的关键元件。

PC814X1CSZ9F-HXY特性

暂无产品特性。

PC814X1CSZ9F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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