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PBSS8110T-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PBSS8110T-HXY

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定性。 其集电极-发射极电压(VCEO)可达100V, 适用于广泛的电源管理需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至300, 能够提供出色的信号放大性能。 此外, 它拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色。 这些特性使它成为需要精确信号放大和快速响应的电路中的理想组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

295

货期

现货

PBSS8110T-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存295

PBSS8110T-HXY概述

此款NPN型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 确保在高负载条件下的稳定性。 其集电极-发射极电压(VCEO)可达100V, 适用于广泛的电源管理需求。 该三极管的直流电流增益(HFE)范围为100至300, 能够提供出色的信号放大性能。 此外, 它拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色。 这些特性使它成为需要精确信号放大和快速响应的电路中的理想组件。

PBSS8110T-HXY特性

暂无产品特性。

PBSS8110T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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