PBSS8110T, 215-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
PBSS8110T, 215-JSM
集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：100V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：300@500mA, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
1,565
货期
现货
PBSS8110T, 215-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1565 |
PBSS8110T, 215-JSM概述
集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：100V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：300@500mA, 10V
PBSS8110T, 215-JSM特性
暂无产品特性。
PBSS8110T, 215-JSM应用领域
暂无应用领域。