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PBSS5160T-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PBSS5160T-HXY

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 能够承受最高60V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要高耐压和中等电流负载的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的稳定性和效率。 此外, 该三极管拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色, 确保信号的快速响应与精确处理。 适合于各种电子设备中的放大及开关电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

820

货期

现货

PBSS5160T-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存820

PBSS5160T-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 能够承受最高60V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要高耐压和中等电流负载的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的稳定性和效率。 此外, 该三极管拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色, 确保信号的快速响应与精确处理。 适合于各种电子设备中的放大及开关电路设计。

PBSS5160T-HXY特性

暂无产品特性。

PBSS5160T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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