PBSS5160T-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PBSS5160T-HXY
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 能够承受最高60V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要高耐压和中等电流负载的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的稳定性和效率。 此外, 该三极管拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色, 确保信号的快速响应与精确处理。 适合于各种电子设备中的放大及开关电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
820
货期
现货
PBSS5160T-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 820 |
PBSS5160T-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具有1A的集电极电流(IC)能力, 能够承受最高60V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要高耐压和中等电流负载的应用场景。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了信号放大时的稳定性和效率。 此外, 该三极管拥有150MHz的过渡频率(FT), 使其在高频应用中表现出色, 确保信号的快速响应与精确处理。 适合于各种电子设备中的放大及开关电路设计。
PBSS5160T-HXY特性
暂无产品特性。
PBSS5160T-HXY应用领域
暂无应用领域。
