PBRN113ET, 215
IC
SOT-23
可供量大可议
PBRN113ET, 215
Transistor NPN 0.8A 40V 1K 1K
品牌
Nexperia
封装
SOT-23
库存
2,745
货期
现货
PBRN113ET, 215参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.5V |
| 电阻比率 | 1.1 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.15V |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 2,745 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 180 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.8V |
| 输入电阻 | 1kΩ |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
PBRN113ET, 215概述
Transistor NPN 0.8A 40V 1K 1K
PBRN113ET, 215特性
暂无产品特性。
PBRN113ET, 215应用领域
暂无应用领域。