PBHV8115T-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
PBHV8115T-HXY
这款NPN三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要高耐压保护的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 能够提供良好的信号放大效果, 特别适合于低功耗应用。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)高达100MHz, 表明它具备处理高频信号的能力, 使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。 此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
70
货期
现货
PBHV8115T-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
PBHV8115T-HXY概述
这款NPN三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要高耐压保护的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 能够提供良好的信号放大效果, 特别适合于低功耗应用。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)高达100MHz, 表明它具备处理高频信号的能力, 使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。 此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。
PBHV8115T-HXY特性
暂无产品特性。
PBHV8115T-HXY应用领域
暂无应用领域。
