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PBHV8115T-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

PBHV8115T-HXY

这款NPN三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要高耐压保护的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 能够提供良好的信号放大效果, 特别适合于低功耗应用。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)高达100MHz, 表明它具备处理高频信号的能力, 使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。 此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

70

货期

现货

PBHV8115T-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存70

PBHV8115T-HXY概述

这款NPN三极管(BJT)具有1A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 适用于需要高耐压保护的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 能够提供良好的信号放大效果, 特别适合于低功耗应用。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)高达100MHz, 表明它具备处理高频信号的能力, 使其成为音频设备及无线通信模块等需要高效能元件的理想选择。 此款三极管为电路设计师提供了兼具稳定性和灵活性的解决方案。

PBHV8115T-HXY特性

暂无产品特性。

PBHV8115T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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