P3004ND5G
IC
TO-252-4L
可供量大可议
P3004ND5G
P3004ND5G采用先进的沟槽技术MOSFET， 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
品牌
Cmos
封装
TO-252-4L
库存
75
货期
现货
P3004ND5G参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
P3004ND5G概述
P3004ND5G采用先进的沟槽技术MOSFET， 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
P3004ND5G特性
暂无产品特性。
P3004ND5G应用领域
暂无应用领域。