P2803NVG-VB
IC
SO-8
可供量大可议
P2803NVG-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型和P型沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺。 具有双极性设计， 能够同时控制正负极电流， 适用于各种功率控制和开关应用。 SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 8/-8A； RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±2V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
P2803NVG-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
P2803NVG-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型和P型沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺。 具有双极性设计， 能够同时控制正负极电流， 适用于各种功率控制和开关应用。 SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 8/-8A； RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~±2V
P2803NVG-VB特性
暂无产品特性。
P2803NVG-VB应用领域
暂无应用领域。