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P24C512B-TSH-MIR
自营可供
IC

TSSOP-8

P24C512B-TSH-MIR

其他存储器 EEPROM, 512KBIT TSSOP-8 1.65V-3.6VEEPROM, 256KBIT TSSOP-8 1.65V-3.6V

品牌

PUYA

封装

TSSOP-8

交期

现货

批次

26+

P24C512B-TSH-MIR参数

封装TSSOP-8
品牌PUYA(普冉)
批次26+
接口类型I2C
时钟频率(fc)1MHz
数据保留 - TDR(年)100年
功能特性页写保护功能; 硬件写保护功能; 噪声抑制功能
工作温度-40℃~+85℃
待机电流10uA
商品名称I²C兼容串行EEPROM
包装方式编带
商品类型EEPROM
分类EEPROM
库存5,829
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量512Kbit
写周期时间(Tw)5ms
写周期寿命100万次
工作电压1.7V~5.5V
工作电流2.5mA
读取访问时间(tA)900ns
商品型号P24C512B-TSH-MIR
单位个
商品重量8.8e-05

P24C512B-TSH-MIR概述

其他存储器 EEPROM, 512KBIT TSSOP-8 1.65V-3.6VEEPROM, 256KBIT TSSOP-8 1.65V-3.6V

P24C512B-TSH-MIR特性

  • 单电源电压和高速:最低工作电压低至1.7V
  • 在2.5V至5.5V时时钟频率为1MHz
  • 在1.7V至2.5V时时钟频率为400kHz。
  • 低功耗CMOS技术:读取电流最大500μA, 写入电流最大2.5mA。
  • 施密特触发器, 滤波输入用于噪声抑制。
  • 支持顺序和随机读取功能。
  • 128字节页写入模式, 允许部分页写入。
  • 整个存储阵列写保护。
  • 附加可写锁定页。
  • 自定时写周期, 最大5ms。
  • 高可靠性:耐久性100万次写入周期
  • 数据保留100年
  • HBM6kV
  • 闩锁能力±200mA。

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