P2003ND5G-VB
IC
TO-252-4L
可供量大可议
P2003ND5G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 TO252-4； N+P—Channel沟道, ±40V； ±50A； RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252-4L
库存
5
货期
现货
P2003ND5G-VB参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
P2003ND5G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 TO252-4； N+P—Channel沟道, ±40V； ±50A； RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±1~3V
P2003ND5G-VB特性
暂无产品特性。
P2003ND5G-VB应用领域
暂无应用领域。