P2003ETG-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
P2003ETG-VB
TO220； P—Channel沟道, -30V； -70A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
10
货期
现货
P2003ETG-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
P2003ETG-VB概述
TO220； P—Channel沟道, -30V； -70A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
P2003ETG-VB特性
暂无产品特性。
P2003ETG-VB应用领域
暂无应用领域。