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OSG65R580FF
IC

TO-220F

可供量大可议

OSG65R580FF

采用电荷平衡技术, 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地降低传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极致开关性能进行了优化, 以最大限度地降低开关损耗。 专为高功率密度应用而设计, 以满足最高效率标准。

品牌

ORIENTAL SEMI

封装

TO-220F

库存

121

货期

现货

OSG65R580FF参数

封装TO-220F
品牌ORIENTAL SEMI(东微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存121

OSG65R580FF概述

采用电荷平衡技术, 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地降低传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极致开关性能进行了优化, 以最大限度地降低开关损耗。 专为高功率密度应用而设计, 以满足最高效率标准。

OSG65R580FF特性

暂无产品特性。

OSG65R580FF应用领域

暂无应用领域。

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