OSG65R380FEF
IC
TO-220F
可供量大可议
OSG65R380FEF
漏源电压(Vdss): 650V、连续漏极电流(Id): 11A、导通电阻(RDS(on)): 0.38Ω@10V、耗散功率(Pd): 31W
品牌
ORIENTAL SEMI
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
OSG65R380FEF参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | ORIENTAL SEMI(东微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
OSG65R380FEF概述
漏源电压(Vdss): 650V、连续漏极电流(Id): 11A、导通电阻(RDS(on)): 0.38Ω@10V、耗散功率(Pd): 31W
OSG65R380FEF特性
暂无产品特性。
OSG65R380FEF应用领域
暂无应用领域。