OSG65R360DEF
IC
TO-252
可供量大可议
OSG65R360DEF
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术， 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 其设计旨在最大限度地降低传导损耗， 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS (B) E系列针对其开关特性进行了优化， 以实现电磁干扰（EMI）和效率之间的平衡
品牌
ORIENTAL SEMI
封装
TO-252
库存
699
货期
现货
OSG65R360DEF参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ORIENTAL SEMI(东微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 699 |
OSG65R360DEF概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术， 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 其设计旨在最大限度地降低传导损耗， 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS (B) E系列针对其开关特性进行了优化， 以实现电磁干扰（EMI）和效率之间的平衡
OSG65R360DEF特性
暂无产品特性。
OSG65R360DEF应用领域
暂无应用领域。