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OSG65R260FSF
IC

TO-220F

可供量大可议

OSG65R260FSF

高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 S系列针对其开关特性进行了优化, 以达到严格的EMI标准。 易于用于较小的电源系统, 以同时满足效率和EMI标准。

品牌

ORIENTAL SEMI

封装

TO-220F

库存

145

货期

现货

OSG65R260FSF参数

封装TO-220F
品牌ORIENTAL SEMI(东微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存145

OSG65R260FSF概述

高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 S系列针对其开关特性进行了优化, 以达到严格的EMI标准。 易于用于较小的电源系统, 以同时满足效率和EMI标准。

OSG65R260FSF特性

暂无产品特性。

OSG65R260FSF应用领域

暂无应用领域。

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