OSG65R260FSF
IC
TO-220F
可供量大可议
OSG65R260FSF
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 S系列针对其开关特性进行了优化, 以达到严格的EMI标准。 易于用于较小的电源系统, 以同时满足效率和EMI标准。
品牌
ORIENTAL SEMI
封装
TO-220F
库存
145
货期
现货
OSG65R260FSF参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | ORIENTAL SEMI(东微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
OSG65R260FSF概述
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 S系列针对其开关特性进行了优化, 以达到严格的EMI标准。 易于用于较小的电源系统, 以同时满足效率和EMI标准。
OSG65R260FSF特性
暂无产品特性。
OSG65R260FSF应用领域
暂无应用领域。
