OSG60R580FTF
IC
TO-220F-3
可供量大可议
OSG60R580FTF
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极端开关性能进行了优化, 以最大限度地减少开关损耗。 专为高功率密度应用量身定制, 以满足最高效率标准。
品牌
ORIENTAL SEMI
封装
TO-220F-3
库存
990
货期
现货
OSG60R580FTF参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | ORIENTAL SEMI(东微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 990 |
OSG60R580FTF概述
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极端开关性能进行了优化, 以最大限度地减少开关损耗。 专为高功率密度应用量身定制, 以满足最高效率标准。
OSG60R580FTF特性
暂无产品特性。
OSG60R580FTF应用领域
暂无应用领域。
