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OSG60R580FTF
IC

TO-220F-3

可供量大可议

OSG60R580FTF

高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极端开关性能进行了优化, 以最大限度地减少开关损耗。 专为高功率密度应用量身定制, 以满足最高效率标准。

品牌

ORIENTAL SEMI

封装

TO-220F-3

库存

990

货期

现货

OSG60R580FTF参数

封装TO-220F-3
品牌ORIENTAL SEMI(东微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存990

OSG60R580FTF概述

高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 旨在最大限度地减少传导损耗, 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 通用系列针对极端开关性能进行了优化, 以最大限度地减少开关损耗。 专为高功率密度应用量身定制, 以满足最高效率标准。

OSG60R580FTF特性

暂无产品特性。

OSG60R580FTF应用领域

暂无应用领域。

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