OSG60R099KSZF
IC
TO-263
可供量大可议
OSG60R099KSZF
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术， 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 其设计旨在最大限度地降低传导损耗， 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD）， 以缩短反向恢复时间
品牌
ORIENTAL SEMI
封装
TO-263
库存
31
货期
现货
OSG60R099KSZF参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | ORIENTAL SEMI(东微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
OSG60R099KSZF概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术， 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。 其设计旨在最大限度地降低传导损耗， 提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD）， 以缩短反向恢复时间
OSG60R099KSZF特性
暂无产品特性。
OSG60R099KSZF应用领域
暂无应用领域。