OPA828IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
OPA828IDR
FET输入运放 150V/us 50uV 1pA 45MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
2,458
货期
现货
OPA828IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 108dB |
| 静态电流(Iq) | 5.5mA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | 4V~18V； -18V~-4V |
| 输入电压噪声密度(eN) | 4nV/√Hz@1kHz |
| 功能特性 | 短路保护； ESD保护； 过压保护 |
| 分类 | FET输入运放 |
|---|---|
| 库存 | 2,458 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 增益带宽积(GBP) | 45MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 50uV |
| 压摆率(SR) | 150V/us |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 0.45uV/℃ |
| 单电源电压 | 8V~36V |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
OPA828IDR概述
FET输入运放 150V/us 50uV 1pA 45MHz
OPA828IDR特性
暂无产品特性。
OPA828IDR应用领域
暂无应用领域。