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NY-12W-K-IE
IC

SIP, 20.1x5mm

可供量大可议

NY-12W-K-IE

特性:厚度为 5mm 的超薄型。 适合高密度安装。 低功耗和高灵敏度。 标称线圈功率:120mW。 工作功率:54mW。 获得 UL 和 CSA 认证。 高绝缘性。 浪涌电压:5,080V。 介电强度:3,000VAC(线圈和触点)。 SIL 间距端子。 塑料密封型, RTIII。 在尺寸和引脚(端子)排列上与固态 I/O 模块 SN 兼容。 环保无镉触点类型。 符合 RoHS 标准

品牌

FUJITSU

封装

SIP, 20.1x5mm

库存

2

货期

现货

NY-12W-K-IE参数

封装SIP, 20.1x5mm
品牌FUJITSU(富士通)
MOQ / SPQ1 / 1
分类功率继电器
库存2

NY-12W-K-IE概述

特性:厚度为 5mm 的超薄型。 适合高密度安装。 低功耗和高灵敏度。 标称线圈功率:120mW。 工作功率:54mW。 获得 UL 和 CSA 认证。 高绝缘性。 浪涌电压:5,080V。 介电强度:3,000VAC(线圈和触点)。 SIL 间距端子。 塑料密封型, RTIII。 在尺寸和引脚(端子)排列上与固态 I/O 模块 SN 兼容。 环保无镉触点类型。 符合 RoHS 标准

NY-12W-K-IE特性

暂无产品特性。

NY-12W-K-IE应用领域

暂无应用领域。

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