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NXV75UPR
自营可供
IC

TO-236AB

NXV75UPR

NXV75UP/SOT23/TO-236AB

品牌

Nexperia

封装

TO-236AB

交期

现货

批次

两年内

NXV75UPR参数

封装TO-236AB
品牌Nexperia(安世)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))90mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)330pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)51pF
商品名称P通道, 电流:1.8A, 耐压:20V
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存9,361
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)2.1W
栅极电荷量(Qg)6.3nC@4.5V
反向传输电容(Crss)44pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±8V
商品型号NXV75UPR
单位个
商品重量3.5e-05

NXV75UPR概述

NXV75UP/SOT23/TO-236AB

NXV75UPR特性

  • 低阈值电压
  • 极快速开关
  • 沟槽MOSFET技术

NXV75UPR应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 高端负载开关
  • 开关电路

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