NXV65UPR-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为3A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻60mΩ。 器件在低栅极驱动下实现导通， 其阻抗特性决定了通路损耗水平。 此参数组合适用于平板电脑电源路径管理、可穿戴设备电池保护及小型直流负载开关。 在20V以内电压系统中， 它能提供基础的电流控制功能， 满足消费电子对电路空间与能效的平衡需求。