NXV40UNR
IC
TO-236AB
可供量大可议
NXV40UNR
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）， 采用小型 SOT23 表面贴装器件（SMD）塑料封装。
品牌
Nexperia
封装
TO-236AB
库存
2,805
货期
现货
NXV40UNR参数
| 封装 | TO-236AB |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2805 |
NXV40UNR概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）， 采用小型 SOT23 表面贴装器件（SMD）塑料封装。
NXV40UNR特性
暂无产品特性。
NXV40UNR应用领域
暂无应用领域。