NXPSC10650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复峰值电压（VR）达650V， 正向压降（VF）典型值为1.5V， 反向漏电流（IR）为60μA， 展现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效整流应用， 其低VF与低IR特性有助于减少能量损耗并提升系统稳定性。