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NXPSC08650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

NXPSC08650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

NXPSC08650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

NXPSC08650Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

NXPSC08650Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC08650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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