NXPSC08650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPSC08650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
NXPSC08650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NXPSC08650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压达650V, 正向压降典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。
NXPSC08650Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC08650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
