NXPSC086506Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPSC086506Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降低至1.38V, 具备优异的导通效率。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 其开关速度快、反向恢复电荷极小, 适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
25
货期
现货
NXPSC086506Q-HXYParameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NXPSC086506Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降低至1.38V, 具备优异的导通效率。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 其开关速度快、反向恢复电荷极小, 适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。
NXPSC086506Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC086506Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
