Stock与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
NXPSC086506Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

NXPSC086506Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降低至1.38V, 具备优异的导通效率。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 其开关速度快、反向恢复电荷极小, 适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220C-2L

Stock

25

货期

现货

NXPSC086506Q-HXYParameters

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

NXPSC086506Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为8A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降低至1.38V, 具备优异的导通效率。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 其开关速度快、反向恢复电荷极小, 适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。

NXPSC086506Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC086506Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件