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NXPSC066506Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

NXPSC066506Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备6A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降为1.36V, 具有较低的导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷, 适用于高频、高效率的电力转换应用。 可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中, 有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

NXPSC066506Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

NXPSC066506Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备6A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降为1.36V, 具有较低的导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷, 适用于高频、高效率的电力转换应用。 可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中, 有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

NXPSC066506Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC066506Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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