NXPSC066506Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPSC066506Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备6A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降为1.36V, 具有较低的导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷, 适用于高频、高效率的电力转换应用。 可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中, 有效提升系统能效并减小热管理设计压力。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
NXPSC066506Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NXPSC066506Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 具备6A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降为1.36V, 具有较低的导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷, 适用于高频、高效率的电力转换应用。 可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中, 有效提升系统能效并减小热管理设计压力。
NXPSC066506Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC066506Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
