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NXPSC04650X6Q-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

NXPSC04650X6Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向压降典型值为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性, 适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中, 有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

NXPSC04650X6Q-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

NXPSC04650X6Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向压降典型值为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性, 适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中, 有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。

NXPSC04650X6Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC04650X6Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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