NXPSC04650X6Q-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
NXPSC04650X6Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向压降典型值为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性, 适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中, 有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
NXPSC04650X6Q-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NXPSC04650X6Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向压降典型值为1.3V, 在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料的结构带来优异的开关特性和热稳定性, 适用于高频电源转换、高效率整流及对体积与温升敏感的电子系统中, 有助于降低导通损耗并提升整体运行效率。
NXPSC04650X6Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC04650X6Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
