NXPSC04650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPSC04650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态过载能力。 其结构利用碳化硅材料特性, 在高频工作条件下有效降低开关损耗, 适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
NXPSC04650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NXPSC04650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态过载能力。 其结构利用碳化硅材料特性, 在高频工作条件下有效降低开关损耗, 适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。
NXPSC04650Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC04650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
