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NXPSC04650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

NXPSC04650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态过载能力。 其结构利用碳化硅材料特性, 在高频工作条件下有效降低开关损耗, 适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

NXPSC04650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

NXPSC04650Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降为1.53V。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流, 具备良好的瞬态过载能力。 其结构利用碳化硅材料特性, 在高频工作条件下有效降低开关损耗, 适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。

NXPSC04650Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC04650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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