NXPSC046506Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPSC046506Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向导通压降为1.53V, 非重复浪涌正向电流能力达32A。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 并具备良好的热性能。 适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
NXPSC046506Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NXPSC046506Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向导通压降为1.53V, 非重复浪涌正向电流能力达32A。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 并具备良好的热性能。 适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。
NXPSC046506Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPSC046506Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
