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NXPSC046506Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

NXPSC046506Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向导通压降为1.53V, 非重复浪涌正向电流能力达32A。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 并具备良好的热性能。 适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

NXPSC046506Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

NXPSC046506Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向导通压降为1.53V, 非重复浪涌正向电流能力达32A。 其基于碳化硅材料的特性, 在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗, 并具备良好的热性能。 适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。

NXPSC046506Q-HXY特性

暂无产品特性。

NXPSC046506Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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