NXPLQSC10650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
NXPLQSC10650Q-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至60μA。 器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 其材料特性支持高频工作, 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
NXPLQSC10650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
NXPLQSC10650Q-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至60μA。 器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 展现出良好的瞬态耐受能力。 其材料特性支持高频工作, 适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。
NXPLQSC10650Q-HXY特性
暂无产品特性。
NXPLQSC10650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
