NXPLQSC106506Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）达650V。 其正向压降（VF）典型值为1.5V， 在25°C条件下反向漏电流（IR）不超过60μA， 具备优异的导通与阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景， 能在高频工作条件下保持较低的开关损耗与稳定运行。