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NXP3875GR
IC

SOT-23-3

可供量大可议

NXP3875GR

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW

品牌

Nexperia

封装

SOT-23-3

库存

6,000

货期

现货

NXP3875GR参数

封装SOT-23-3
品牌Nexperia(安世)
批次26+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)50V
直流电流增益(hFE)200
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-65℃~+150℃
数量2个NPN
分类三极管(BJT)
库存6,000
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)150mA
耗散功率(Pd)200mW
特征频率(fT)80MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

NXP3875GR概述

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW

NXP3875GR特性

暂无产品特性。

NXP3875GR应用领域

暂无应用领域。

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