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NX7002BKR
自营可供
IC

SOT-23

NX7002BKR

场效应管(MOSFET) 310mW; 1.67W 60V 270mA 1个N沟道

品牌

Nexperia

封装

SOT-23

交期

现货

批次

两年内

NX7002BKR参数

封装SOT-23
品牌Nexperia(安世)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.1V
输入电容(Ciss)23.6pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存12,221
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)310mW
栅极电荷量(Qg)1nC@10V
反向传输电容(Crss)3pF

NX7002BKR概述

场效应管(MOSFET) 310mW; 1.67W 60V 270mA 1个N沟道

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